硅片扩散炉专门设计用于半导体材料扩散、氧化工艺，尽可能满足其重点特殊要求；同时也用于太阳能电池行业的氮化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、多晶硅等多种渡膜（LPCVD）工艺。该炉采用FEC陶瓷纤维管保温，KTL电阻丝加热，优质气炼石英管作为炉膛，可预抽真空并通入保护/反应气体；日本原装进口单回路温度控制仪控制，温区设计隔板结构，温度均匀。进口气氛控制系统，质量流量计控制。具有温度均匀、控制稳定、具有温度扰动小、升温速度快、使用温度高、保温效果好、寿命长、节能等特点，是企业规模生产的理想设备。
硅片扩散炉专门设计用于半导体材料扩散、氧化工艺，尽可能满足其重点特殊要求；同时也用于太阳能电池行业的氮化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、多晶硅等多种渡膜（LPCVD）工艺。该炉采用FEC陶瓷纤维管保温，KTL电阻丝加热，优质气炼石英管作为炉膛，可预抽真空并通入保护/反应气体；日本原装进口单回路温度控制仪控制，温区设计隔板结构，温度均匀。进口气氛控制系统，质量流量计控制。具有温度均匀、控制稳定、具有温度扰动小、升温速度快、使用温度高、保温效果好、寿命长、节能等特点，是企业规模生产的理想设备。